• Сонячні батареї нового покоління можуть з’явитися найближчим часом

  • Аліна Варфоломєєва | Велика Епоха
    П'ятниця, 19 серпня 2011 року

Як уникнути втрат енергії в процесі перетворення сонячної
енергії в електричну – на це питання знайшла відповідь група інженерів під
керівництвом Мінюн Хана (Mingyong Han) з Сінгапуру. Вчені винайшли спосіб
створення нанорозмірних гетеропереходів в фотоелементах, які дозволять уникнути
рекомбінації вільних зарядів, тобто запобігти утворенню «дірок» на сонячній
батареї, повідомляє chemport.ru.

Побудована з нанорозмірних кристалів напівпровідника, площа
поверхні фотоелемента збільшиться, при цьому вартість виробництва такого
елемента буде нижче, ніж у звичайних, створених за допомогою літографічних
методів.

Перехід між двома типами напівпровідників повинен
забезпечувати їх максимальний контакт. Інженери прийшли до висновку, що в
сонячних батареях нового покоління гетеропереходи між n-і p-типами
напівпровідників повинні відбуватися хімічним шляхом. Отримані раніше бінарні
сферичні нанокристали характеризувалися низьким коефіцієнтом корисної дії.
Групі інженерів під керівництвом Мінюн Хана вдалося вирішити цю проблему:
композитний матеріал вони синтезували за іншим методом.

Вчені впевнені, що винайдена ними структура нанопереходів
може використовуватися не тільки при виробництві фотоелементів, але й в інших
областях для синтезу різних напівпровідникових пар. Цей винахід фактично є
кроком до створення сонячних батарей нового покоління, побудованих на основі
нанотехнологій.

Підписатися:

Social comments Cackle

загрузка...